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　　格芯（GF）是这一轮接盘中最具战略意味的玩家之一。其在 2025 年 11 月 10 日官宣，已与台积电签署 GaN 技术授权协议，覆盖 650V（高压）与 80V（低压）两类电源工艺，并给出明确节奏：目标在 2026 年底前进入可用阶段。与此同时，GF 正将佛蒙特州工厂定位为美国战略性 GaN 生产中心，并获得超过 8000 万美元的联邦政府资金支持。这一布局并非单纯的商业扩产，而是将 GaN 明确纳入美国本土功率半导体与能源基础设施体系之中。

　　在 GaN 领域，IDM 路线的代表并不只有罗姆。包括英飞凌、意法半导体、安森美等功率半导体厂商，均在不同程度上将 GaN 纳入自身 IDM 体系之中。尽管各家在外延获取、晶圆尺寸和工艺节奏上存在差异，但其共同特征是：核心工艺与关键产能不完全外包，强调器件可靠性、寿命与系统级验证能力，优先服务车规、工业与基础设施等长周期市场。这一取向与 GaN 器件在高压、高可靠应用中的技术属性高度契合。相较于以成本与弹性见长的纯代工模式，IDM 厂商更容易在材料选择、器件结构、电性一致性与失效率控制上形成长期积累。

　　汽车与出行领域则展现出更强的成长弹性。尽管短期受到xEV市场节奏放缓的影响，但 Yole 预计，该领域在 2024–2030 年期间仍将实现 73% 的复合年增长率。2025年12月8日，采用英诺赛科650V氮化镓的新一代6.6kWOBC系统在长安汽车顺利装车，该系统实现了业内领先的充电效率和整机功率密度，为车载电源技术树立了新标杆。目前，GaN 已在 ADAS 系统中的 LiDAR 电源环节实现落地，未来有望进一步扩展至车载充电器（11kW）、DC-DC 转换器、车载音频系统以及高端电动车平台。到 2030 年，该领域预计将占据约19%的市场份额。

　　真正改变 GaN 产业定位的，是数据中心。AI 负载的快速增长，使电源系统从“配套环节”跃升为系统效率的关键瓶颈。在 3kW 以上的电源单元中，GaN 在体积、能效和运行成本方面的优势开始显性化。2025年，英伟达发布新一代数据中心架构，随之带动了包括德州仪器、纳微半导、英飞凌、英诺赛科、安森美在内的一批功率半导体厂商协同推进GaN在800V高压直流（HVDC）电源系统中的导入。预计到 2030 年，数据中心与电信领域将贡献 约 13%的 GaN 市场规模，但其技术外溢效应远高于表观占比。

　　那话又说回来，为什么台积电反而选择退出？答案并不复杂：不是 GaN 不重要，而是“不够重要”。即便GaN制造业务保持高速增长，其体量与利润水平，仍难以与台积电的核心业务——服务于从大模型训练到自动驾驶的尖端 AI 处理器制造——相提并论。台积电已计划将新竹Fab 5（现有 GaN 产线）改造为先进封装基地，用于承接CoWoS等需求快速扩张的封装工艺。这些能力直接服务于英伟达等客户的AI芯片交付，是当前产业链中单位产能价值密度最高的环节。